GaN器件

概述

效率高,功率密度大,带宽更宽。芯片设计、流片、测试完全自主工艺开发, 可根据客户需求提供各种封装形式,工作频段从 DC至12G。

特点

  • 1、频率范围:DC~12GHz
  • 2、高可靠金属陶瓷封装 ,低成本塑封贴装
  • 3、提供应用支持

应用

高频高功率的雷达、电台、电子对抗设备。通信基站、直放站等。

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